大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络茶名如鱼水是什么茶 如鱼水是什么品种00; line-height: 24px;'>茶名如鱼水是什么茶 如鱼水是什么品种安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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