大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产数学集合符号大全图解，数学集合符号大全及意义品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从数学集合符号大全图解，数学集合符号大全及意义(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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