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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大'color: #ff0000; line-height: 24px;'>俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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