大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入哥哥的日文怎么念，哥哥的日文中文谐音从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(sh哥哥的日文怎么念，哥哥的日文中文谐音ēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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