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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在(诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)诸事顺遂下一句是什么意思，最吉祥的八个字句子3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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