大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shā蜂王浆吃了容易得癌，蜂王浆吃出一身病ng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占(z蜂王浆吃了容易得癌，蜂王浆吃出一身病hàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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