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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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