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中国欠别国钱吗

中国欠别国钱吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn中国欠别国钱吗)示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

中国欠别国钱吗中国欠别国钱吗>>  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额(é)提升(shēng),以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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