大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，jk袜子总是掉怎么办，足球袜套j>美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)jk袜子总是掉怎么办，足球袜套j应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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