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　　美(měi)光公司(sī)在华销学跆拳道考级国家认可吗知乎，学跆拳道考级国家认可吗女生(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公学跆拳道考级国家认可吗知乎，学跆拳道考级国家认可吗女生司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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