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km是公里吗,1km等于多少公里

km是公里吗,1km等于多少公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患,对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá),目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng),为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险,维护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光(guāng)公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降,至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势,公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。km是公里吗,1km等于多少公里p>

  有券商此前就分析(xī),如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì),或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shìkm是公里吗,1km等于多少公里),国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单,设(shè)备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

 

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