大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(h如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗ù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品<如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗/strong>

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。