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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储娜能组成什么词，娜字能组什么词语晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西娜能组成什么词，娜字能组什么词语部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng娜能组成什么词，娜字能组什么词语)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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