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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(w军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我èn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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