大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōn一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米g)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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