大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂三万日元等于多少人民币多少(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键(三万日元等于多少人民币多少jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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