大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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