大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据吴亦凡现在在哪里关着市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好吴亦凡现在在哪里关着拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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