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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美桃花谢了春红太匆匆全诗译文，桃花谢了春红太匆匆全诗拼音(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存桃花谢了春红太匆匆全诗译文，桃花谢了春红太匆匆全诗拼音储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(y桃花谢了春红太匆匆全诗译文，桃花谢了春红太匆匆全诗拼音ǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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