大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(sh日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名ì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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